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{pboot:sql sql="select a.ico,a.id,a.title,a.description,a.enclosure,b.filename from ay_content a,ay_content_sort b where a.scode=b.scode and a.id in(66,67,68)"}
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IGBT模组多层扫描检测绝缘栅双极晶体管(IGBT)是功率半导体器件的主流形式,是实现电能变换和控制的关键元器件。无损,精准,可靠的对IGBT封装缺陷进行检测,是评价功率半导体质量性能的有效手段。Hiwave超声扫描显微镜,优点在于对功率半导体物理内部参数变化明显的特征如分层、空洞、裂纹等非常敏感,能够清晰的反映界面1~99逐层、分层、各层材料中的裂纹及空洞、芯片倾斜等缺陷,横向分辨率高达0.1 µm;并且可以对深度进行选择,确定缺陷发生的位置,对于Z方向的缺陷分辨率可以达到纳米级水平,同时可以应用在生产车间,实现大批量快速检测。

在芯片封装成形的过程中气孔是最常见的缺陷,气孔不仅严重影响塑封体的外观,而且直接影响塑封器件的可靠性,尤其是内部气孔更应重视。常见的气孔主要是外部气孔,内部气孔无法直接看到,较小的内部气孔即使通过X射线也看不清楚,所以大部分芯片制造商采用的是超声扫描显微镜来检测存储芯片封装气孔缺陷;超声扫描显微镜( SAT)通过发射高频超声波传递到样品内部,在经过两种不同材质之间界面时,由于不同材质的声阻抗不同,对声波的吸收和反射程度的不同,进而采集的反射或者穿透的超声波能量信息或者相位信息的变化来检查样品内部出现的分层、裂缝或者空洞等缺陷;和伍智造超声扫描显微镜具有高分辨率高清成像、高频超声、多层扫描等优势。

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